各种光敏二极管类型之间的主要区别在于它们的结构、灵敏度、响应时间和噪声特性。主要的光电二极管类型有：PN光电二极管、PIN光电二极管、雪崩光电二极管、肖特基光电二极管和MSM光电二极管。以下是每种类型的一些主要特征：PN 光电二极管结构简单，易于生产，同时还具有低暗电流和低噪声水平;然而，与其他光电二极管类型相比，它们的响应时间往往更慢。PIN 光电二极管拥有比 PN 光电二极管更大的本征区域，从而导致更低的电容和更快的响应时间——这两个因素通常被用作高速应用的卖点。

光敏二极管一、高速应用

与对应的 PN 和 PIN 光电二极管相比，雪崩光电二极管 (APD) 具有更高的增益和灵敏度，可在雪崩击穿区域中运行，在该区域中，即使是少量电流也会导致流过它们的电流急剧增加。APD 经常用于需要高灵敏度的应用，例如长距离光纤通信系统。肖特基光电二极管具有金属-半导体结而不是通常的 PN 或 PIN 光电二极管配置，从而导致更低的电容和更快的响应时间，但其较低的灵敏度使其适用于高速应用。

光敏二极管二、电信号能力

MSM 光电二极管在半导体材料的两侧均设有金属触点以形成肖特基势垒，从而提供常用于光通信应用的高速和低噪声解决方案。选择合适的光电二极管类型取决于您的应用要求，例如灵敏度、速度和光谱响应。选择理想的光电二极管类型取决于几个标准，包括：灵敏度：光电二极管的灵敏度是指其将光能转换为电信号的能力。光电二极管的这一特性取决于它们使用的材料、它们检测到的光的波长以及某些波长对检测的敏感程度——例如，锗和砷化铟镓材料在某些波长下往往比其他波长更敏感。

光敏二极管三、光谱响应

光电二极管的光谱响应：光电二极管的光谱响应是指它可以检测的波长范围。由于不同的光电二极管材料表现出不同的光谱响应，因此选择理想的光电二极管取决于您的应用所需的波长范围。速度：光电二极管的速度是指它对光强变化做出快速反应的能力，这取决于它的电容——这取决于它的结构;与 PN 光电二极管相比，PIN 和肖特基光电二极管往往具有更低的电容和更快的响应时间。

光敏二极管四、噪声水平

光电二极管的噪声水平决定了其最小可检测信号，可能来自其内部组件，也可能来自温度波动或电气干扰等外部来源。与其他形式的光电二极管相比，雪崩光电二极管 (APD) 往往具有更高的增益和灵敏度，但与其他光电二极管相比也可能表现出更大的噪声水平。工作条件：光电二极管的选择在很大程度上取决于应用的工作条件，包括温度范围、电源电压和湿度和振动等环境因素。有效选择光电二极管类型取决于对这些因素的仔细评估以及对您的应用要求的理解。

光敏二极管五、负极化 pn 结

由光子吸收材料制成的负极化 pn 结可以用作光电探测器。负偏置方向的电流在未照明的情况下很小，取决于照明后吸收的光子的数量。光子在整个半导体中以吸收系数 α 被吸收。每个吸收的光子都会产生一个电子空穴组。生产的载体的命运是不同的。耗尽区有强电场，产生的电子向“n”区方向移动，空穴向“p”区移动(在减少区没有复合)。

光敏二极管六、量子性能很小

解释 pn 结电流的方程是流行的二极管电流公式，补充了一个依赖于吸收光子数量的分量。饱和电流 iS 是退出方向的暗电流。iFD 电流由众所周知的方程组成，但在这种情况下量子性能很小，因为相当一部分所产生的载流子不参与电流。响应时间相对较长，耗尽层的载流子被快速去除，但相邻区域载流子的扩散时间增加了电流脉冲的持续时间。pn 接头作为光电探测器。(A) 一个反向极化的 pn 接头以及产生电子-空穴对的耗尽区。(B) 不同光照条件下反向极化 pn 结的电流 i(U) 特性。亮的 pn 接头可以在许多电源问题下运行。接头的照明导致其端子处出现光伏电压 UBF。当接头的端子短路时，点亮的结果就是光伏电流iBF的样子。光电探测器的正常工作条件是通过使用巨大的势垒电压 UB 获得的。电场强，耗尽层宽度增加，载流子随耗尽层流动的时间少，因此量子效率增加，二极管的电容降低。

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