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光电二极管与入射光强度的关系

日期:2021-09-03

光电二极管的结构类似于半导体二极管,其管芯是一个具有光敏特性的PN结,具有单一的导电性,因此,在没有光的情况下工作时需要添加反向电压,此时有一个小的饱和反向泄漏电流,即暗电流,光电二极管被切断。


光照射时,饱和反向漏电流大幅增加,形成光电流,光电流随入射光强度的变化而变化,当光照射到PN结时,PN结中会产生电子一空穴对,增加少数载流子的密度。这些载流子在反向电压下漂移,因此,增加反向电流,光强度可用于改变电路中的电流。


在入射光频率大于极板极限频率的前提下,当极板受直射光照射的电位较高时:当e=HV=1/2mV^2=EU时,电流为零,因此此时不受影响。


在e=HV=1/2mV^2时>;EU光电流的大小与入射光的强度有关,因为入射光的强度越强,发射到极板的光子越多,吸收光子产生光电效应的光电子越多,因此光电流越大,但最终达到饱和。


在入射光频率大于极板极限频率的前提下,当入射光照射极板的电位较低时:在光电流达到饱和之前,入射光的强度越强,光电流越大。


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